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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

量子點(diǎn)合成及其光電功能薄膜研究進(jìn)展

淺析基于量子成像的下一代甚高靈敏度圖像傳感器技術(shù)

生效條件正在變化，摩爾定律到盡頭了嗎？

尋找合適的半導(dǎo)體技術(shù)，解決數(shù)據(jù)中心電源挑戰(zhàn)

紫外增強(qiáng)圖像傳感器的研究進(jìn)展

有機(jī)光伏器件中載流子輸運(yùn)的時(shí)空重復(fù)性

南京大學(xué)譚海仁課題組實(shí)現(xiàn)可量產(chǎn)化的全鈣鈦礦疊層光伏組件

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗(yàn)證

北京理工大學(xué)在拓?fù)湮⒓{光子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院蘇州納米所趙志剛團(tuán)隊(duì)Analytical Chemistry：量子點(diǎn)尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體SERS基底性能提升和無機(jī)小分子檢測(cè)

第四代SiC MOSFET 突破電力電子領(lǐng)域邊界

中科院金屬所發(fā)明一種光控二極管

簡(jiǎn)述汽車芯片

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第四部分)：DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對(duì)并聯(lián)均流的影響

解析射頻微波電感器件之選用玻璃陶瓷基板

半導(dǎo)體材料的點(diǎn)空位缺陷工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)取得新突破

中科院物理所在光致VO2非易失相變及智能光電傳感應(yīng)用方面取得新進(jìn)展

又2項(xiàng)，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)

固體所在二維材料光電探測(cè)器研究方面取得新進(jìn)展

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

上海光機(jī)所疫情期間封閉攻關(guān) 突破多項(xiàng)“卡脖子”技術(shù)

中國科大成功融合遠(yuǎn)距離量子密鑰分發(fā)和光纖振動(dòng)傳感

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