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東芝與羅姆投資27億美元共同生產(chǎn)功率芯片
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2023-12-13 18:14
韓荷首腦將發(fā)表聯(lián)合聲明 宣布結(jié)為半導(dǎo)體同盟
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2023-12-13 18:02
工信部:將加快國家高新區(qū)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新對接,提高科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化水平
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2023-12-13 17:58
畢馬威:半導(dǎo)體和智能手機市場將在2024年反彈
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2023-12-13 17:00
SEMI:2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達到1240億美元
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2023-12-13 16:56
IFWS 2023│小鵬汽車楊恒:碳化硅器件在新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的應(yīng)用
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2023-12-13 10:58
全國首座多材料光電異質(zhì)集成晶圓線在巴南開建
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2023-12-12 16:03
中國科學(xué)院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展
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2023-12-12 15:36
IFWS 2023│日本大阪大學(xué)陳傳彤:SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展
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2023-12-12 14:17
IFWS 2023│瞻芯電子曹峻:碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案
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2023-12-12 10:45
IFWS 2023│大連理工大學(xué)王德君: 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑
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2023-12-11 17:38
IFWS 2023│加拿大Crosslight首席研發(fā)專家Ahmed NASHED:基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真
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2023-12-11 15:24
中科重儀自研功率型硅基氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)
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2023-12-11 11:27
IFWS 2023│博睿光電梁超:面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)
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2023-12-11 11:02
IFWS 2023│臺灣成功大學(xué)李清庭:GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
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2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本國立材料研究所桑立雯:GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器
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2023-12-08 16:04
IFWS 2023│氮矽科技朱仁強:增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展
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2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇:Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
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2023-12-08 15:32
IFWS 2023│Yuri MAKAROV:利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體
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2023-12-08 14:32
IDC預(yù)測2024年全球半導(dǎo)體市場八大預(yù)測
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2023-12-08 11:34
IFWS 2023│中國科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果:6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究
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2023-12-07 17:38
IFWS 2023│南京大學(xué)修向前:基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
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2023-12-07 15:51
IFWS 2023│中國科學(xué)院蘇州納米所司志偉:助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展
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2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│廈門大學(xué)黃凱:顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進展
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2023-12-07 14:33
SSLCHINA2023│芯穎顯示謝相偉:Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破
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2023-12-07 11:23
SSLCHINA2023│長虹電子陳寧:Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望
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2023-12-07 11:21
SSLCHINA2023│國星光電研究院趙龍:Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢
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2023-12-07 10:22
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件與模塊工作組
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2023-12-07 08:43
華測檢測蔚思博金橋芯片實驗基地正式開業(yè)
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2023-12-06 17:46
湖南大學(xué)物電院劉淵教授團隊在小尺寸晶體管研究中取得新進展
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2023-12-06 17:10
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