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英國南安普敦大學開設(shè)全球第二家電子束光刻工廠

總投資10億元，杭州芯光半導(dǎo)體集成電路先進測試產(chǎn)線項目簽約富陽

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《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告（2024）》重磅發(fā)布

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機構(gòu)預(yù)計美關(guān)稅政策將導(dǎo)致2026全球半導(dǎo)體市場萎縮

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強制性國家標準研制

中國科學院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

總投資8.5億元，光電子集成高端硅基晶圓制造中心項目封頂

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標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

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