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科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進展

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體基日盲紫外探測領(lǐng)域取得系列進展

浙大團隊最新《Science》：半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)

材料深一度|催化反應(yīng)技術(shù)分類及應(yīng)用概述

哈工大宋清海、陳怡沐教授團隊研發(fā)新型手性光電材料為電致圓偏振光源提供新思路

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

半導(dǎo)體所等在層狀半導(dǎo)體材料的拉曼散射理論和實驗方面取得重要進展

北大楊學(xué)林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

核能安全所在超寬禁帶材料半導(dǎo)體輻射探測器研制方面取得新進展

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

Science：AI驅(qū)動閉環(huán)設(shè)計，加速高性能有機半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展

上應(yīng)大科研團隊在光探測材料與器件領(lǐng)域取得重要進展！

水稻“生出”半導(dǎo)體材料，我國團隊實現(xiàn)了！

中科院在有機半導(dǎo)體材料室溫自旋輸運和微觀弛豫研究獲進展

我國科學(xué)家實現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

北大電子學(xué)院張志勇課題組提出集成電路用碳納米管材料要求

呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石增強的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

科學(xué)家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動汽車充電速度提升五倍

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

新進展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

廈門大學(xué)林楷強教授團隊在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進展

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

南開團隊在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進展

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

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