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南京大學(xué)團(tuán)隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測器研究中取得新進(jìn)展

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進(jìn)展

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測

浙江大學(xué)柯徐剛研究員團(tuán)隊發(fā)布應(yīng)用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導(dǎo)體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科學(xué)院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進(jìn)展

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進(jìn)展

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

電子科技大學(xué)朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導(dǎo)體薄膜電子器件研究成果

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中南鉆石聯(lián)合中國電科第十三研究所在金剛石NV色心領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

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南科大李攜曦課題組發(fā)表金剛石薄膜制備和應(yīng)用領(lǐng)域研究成果

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王新強(qiáng)、王濤團(tuán)隊在褶皺二維氮化鎵聲子研究中取得重要進(jìn)展

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