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半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展

廈門(mén)大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長(zhǎng)BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測(cè)

簡(jiǎn)述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測(cè)研究

基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

復(fù)旦研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過(guò)10Gbps通信速率

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

簡(jiǎn)述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

突破！中國(guó)科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性開(kāi)發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫(xiě)方法

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

簡(jiǎn)述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長(zhǎng)放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

中國(guó)科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

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