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簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

高壓碳化硅器件封裝國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)綜述

WOLFSPEED：?使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測(cè)試分析

【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸 650V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)發(fā)布碳化硅單晶薄膜制備技術(shù)及集成光子應(yīng)用綜述

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國(guó)高端市場(chǎng)

中科院上海微系統(tǒng)所團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)基于III-V族量子點(diǎn)確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學(xué)芯片

碳化硅功率器件在車載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡(jiǎn)述

先進(jìn)碳化硅技術(shù)助力儲(chǔ)能系統(tǒng)

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

Wolfspeed：碳化硅技術(shù)在并網(wǎng)型應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

? Wolfspeed：采用碳化硅技術(shù)，滿足最新能效標(biāo)準(zhǔn)

Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)賦能離線式開關(guān)電源的優(yōu)勢(shì)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

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