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關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實驗室高壓
650
V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平
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2025-12-19 14:07
北京大學(xué)團(tuán)隊成功研制無閾值電壓負(fù)漂
650
V/10A增強型GaN器件
評論 ?
2025-05-22 18:32
北大團(tuán)隊研發(fā)超低動態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于
650
0V
北
超低動態(tài)電阻
氮化鎵
高壓器件
耐壓
6500V
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2024-01-11 11:17
【成果轉(zhuǎn)化】6 英寸
650
V-1200V 碳化硅外延片---產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用目錄 (推廣篇)(2021年度)》
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2022-08-11 17:10
科銳推出新型
650
V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應(yīng)用創(chuàng)新
科銳
650V
MOSFET
效率
新一代
電動汽車
數(shù)據(jù)中心
太陽能
應(yīng)用
創(chuàng)新
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2020-04-02 10:16
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