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廈門大學張洪良團隊在氧化鎵半導體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

簡述先進封裝Chiplet的優(yōu)缺點

南京大學在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進展

中國電科實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機28納米工藝制程全覆蓋

中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導體大失配外延研究上取得突破性進展

中科院半導體所在硅基外延量子點激光器研究取得進展

國內(nèi)8英寸SiC傳來新進展！

半導體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

Chiplet成半導體性能提升重要路徑

中科院宣布，光計算芯片領(lǐng)域新突破！

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

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世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

簡述GaN 外延生長方法及生長模式

國際團隊開發(fā)出一種“3D光量子存儲器”原創(chuàng)技術(shù)

中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進展

基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

臺積2納米試產(chǎn) 有動作了

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

簡述半導體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

廈門大學團隊發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測新技術(shù)

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

中國科大參與實現(xiàn)“超快調(diào)速”自旋量子比特

廈大團隊在Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破

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