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新突破│鎵仁半導體首發(fā)
VB法
生長最厚6英寸(010)面氧化鎵晶體
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2025-10-14 21:08
新突破︱鎵仁半導體成功制備
VB法
100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底
評論 ?
2025-06-11 10:49
新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)
VB法
4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜
評論 ?
2025-02-13 10:51
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