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長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”揭牌成立

世界先進宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進入量產(chǎn)

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團體標(biāo)準已形成委員會草案

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

華清電子材料實現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長與外延

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項目開工

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

上海出臺措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進展

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

宏光半導(dǎo)體與協(xié)鑫集團擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化鎵功率芯片廠商納微半導(dǎo)體收購SiC公司GeneSiC 加速在電動汽車等領(lǐng)域擴張

英諾賽科：建立氮化鎵生態(tài)的時機已經(jīng)到來

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商中博芯將亮相第十七屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議

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納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首份氮化鎵可持續(xù)發(fā)展報告

徐科：中國氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“拓荒者”！

中電化合物攜手浙江大學(xué)成立聯(lián)合培養(yǎng)實踐基地，聚焦碳化硅和氮化鎵材料

AMB氮化硅覆銅陶瓷基板獲突破，填補我國功率半導(dǎo)體行業(yè)空白！

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長電科技透露其同時具備碳化硅和氮化鎵芯片封測能力

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賽微電子青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目主廠房封頂

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