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重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

國際領(lǐng)先水平！突破SiC晶體長(zhǎng)厚的關(guān)鍵材料

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

首次提出并主導(dǎo)！我國在半導(dǎo)體國際標(biāo)準(zhǔn)制定方面再獲突破

奧特維：科芯IGBT鍵合機(jī)獲龍頭客戶批量訂單是在車規(guī)級(jí)IGBT封裝領(lǐng)域重大業(yè)務(wù)突破

Yole：2027年激光晶圓設(shè)備和技術(shù)市場(chǎng)將突破11億美元

Manz亞智科技板級(jí)封裝突破業(yè)界最大生產(chǎn)面積完美應(yīng)對(duì)產(chǎn)能、成本雙挑戰(zhàn)

新突破！四維圖新智芯車規(guī)級(jí)MCU芯片AC7802x一次性成功點(diǎn)亮

芯片制程突破驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體材料需求升級(jí)

半導(dǎo)體公司氮矽科技完成A輪融資力爭(zhēng)2024年實(shí)現(xiàn)汽車應(yīng)用領(lǐng)域突破

首次突破萬億！近10年我國集成電路產(chǎn)業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率19%

聚焦建圈強(qiáng)鏈成都高新區(qū)力爭(zhēng)到2025年集成電路產(chǎn)值突破2000億元

突破SiC生長(zhǎng)關(guān)鍵核心材料解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴

簽單累計(jì)突破12臺(tái)！高測(cè)股份碳化硅金剛線切片專機(jī)交出新的簽單

華清電子材料實(shí)現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

吳玲：有效整合資源、突破核心技術(shù)，“搶跑”第三代半導(dǎo)體

河南發(fā)布《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》，2025年集成電路產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入突破100億元

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國際差距在2~3年之內(nèi)！

長(zhǎng)電科技：實(shí)現(xiàn)4nm芯片封裝先進(jìn)封裝技術(shù)方面再度實(shí)現(xiàn)突破

至芯半導(dǎo)體在日盲深紫外器件方面獲重大突破，單顆芯片發(fā)射功率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)到210mW

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長(zhǎng)晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)

美國芯片為何如今求著賣？因?yàn)橹袊酒诳焖?span id="kzyefg9" class="highlight">突破

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

全面自主研發(fā)和量產(chǎn)！中機(jī)新材在精密研磨拋材料研制方面獲多項(xiàng)技術(shù)突破

中科潞安大功率深紫外芯片產(chǎn)品獲突破性進(jìn)展，光功率輸出在120mW以上

AMB氮化硅覆銅陶瓷基板獲突破，填補(bǔ)我國功率半導(dǎo)體行業(yè)空白！

國產(chǎn)芯片持續(xù)突破，美芯已難有活路，無奈為華為定制芯片

重磅！3.5億個(gè)晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

華潤微：在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得產(chǎn)業(yè)化顯著突破

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