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天科合達申請在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

西湖儀器：實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

中微公司在等離子體刻蝕技術領域再次實現(xiàn)重大突破

半導體量檢測裝備，迎來新勢力

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北方華創(chuàng)進軍離子注入設備市場拓展半導體制造裝備版圖

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產業(yè)新突破

吉佳藍中國總部在無錫啟用，半導體刻蝕設備搶占更大市場

臻晶半導體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術，全新解決方案引領行業(yè)潮流！

貴州集雋半導體產業(yè)園模組廠投產暨光電顯示產業(yè)鏈重點企業(yè)簽約儀式舉行

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國星光電：子公司風華芯電氮化鎵器件實現(xiàn)量產并開始接單

總額約為3億元！旭有機材中國增設新廠擴充半導體電子材料產能

江蘇超芯星半導體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產成本

華大九天投資EDA初創(chuàng)公司九之星

EV集團推出面向300毫米晶圓的下一代GEMINI?全自動生產晶圓鍵合系統(tǒng)，推動MEMS制造升級

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利，提升遠場圖像FFP質量、光束質量因子和激光相干性

上海光通信申請半導體結構相關專利，縮小半導體結構線寬提高器件密度

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

投資超10億元！又一家半導體企業(yè)通線！

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中芯北方取得半導體器件及其形成方法專利

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中信證券：建議關注SiC器件領軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

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意大利政府擬對意法半導體董事會動用否決權，將罷免公司CEO

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