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采用碳化硅革新電力電子技術(shù)，開拓可持續(xù)解決方案

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

科技部黨組書記、部長陰和?。簶?gòu)建同科技創(chuàng)新相適應(yīng)的科技金融體制有力支撐高水平科技自立自強(qiáng)

TMC2025 國際汽車動力系統(tǒng)技術(shù)年會終版日程發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

京東方華燦GaN電力電子突破：消費(fèi)級可靠性1000H突破，工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

氮化鎵明星企業(yè)陷破產(chǎn)危機(jī)：聚力成半導(dǎo)體從50億項(xiàng)目到清算邊緣

歐洲投資銀行發(fā)起“科技?xì)W盟”項(xiàng)目，以增強(qiáng)AI、半導(dǎo)體競爭力

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

中車株洲電力機(jī)車研究所李東林在人民大會堂接受“全國勞動模范”表彰

陽光電源：公司在做的是電力電子技術(shù)協(xié)同方面的多元化業(yè)務(wù)

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

東方晶源的“軟實(shí)力”：以技術(shù)創(chuàng)新破局半導(dǎo)體制造“良率革命”

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

漢高亮相SEMICON China 2025 助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在AI時代打造新質(zhì)生產(chǎn)力

半導(dǎo)體量檢測裝備，迎來新勢力

華北電力大學(xué)壓接型IGBT功率循環(huán)及性能測試試驗(yàn)平臺采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

上交所：大力支持突破關(guān)鍵核心技術(shù)的優(yōu)質(zhì)科技型企業(yè)發(fā)行上市

中國工商銀行設(shè)立800億元科技創(chuàng)新基金助力半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)發(fā)展

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應(yīng)用

全國人大代表張春生：優(yōu)化新材料產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目環(huán)評審批，為高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐

全國政協(xié)委員鄧中翰：建議激發(fā)民企與青年創(chuàng)新打造AI時代活力引擎

士蘭微廈門 8 英寸碳化硅芯片產(chǎn)線（一期）封頂，力爭明年初投產(chǎn)

芯力科異質(zhì)異構(gòu)集成高精度鍵合成套裝備研發(fā)與應(yīng)用項(xiàng)目簽約

SK海力士韓國龍仁半導(dǎo)體集群一期晶圓廠動工

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護(hù)裝置、IGBT模塊及變頻器”

報(bào)告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯(lián)技術(shù)在電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導(dǎo)體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

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