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復旦大學課題組在Nature Reviews Materials期刊發(fā)表低維寬禁帶半導體用于紫外光探測器的研究綜述

【CASICON 2023 西安站】西安交通大學楊旭教授：寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進展

【CASICON 2023 西安站】廈門大學電子科學與技術(shù)學院（微電子學院）副院長張保平：寬禁帶光電子半導體發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學副校長張進成：寬禁帶半導體射頻和功率器件技術(shù)新進展

電子科技大學羅小蓉課題組在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

CASICON西安前瞻| 廈門大學張保平教授：寬禁帶光電子半導體發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢

CASICON西安站前瞻|西安交通大學教授楊旭：寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進展

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

揚杰科技與東南大學簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

揚杰科技將與東南大學共建寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心

廈門大學張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

【CASICON 2023】中國電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領(lǐng)域寬禁帶半導體外延技術(shù)進展

復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所招賢納士！

寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌

寬禁帶半導體國家工程研究中心常州分中心揭牌，龍城芯谷項目啟動

合盛硅業(yè)：目前2萬片寬禁帶半導體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目已通過驗收，實現(xiàn)量產(chǎn)

西電蕪湖研究院寬禁帶半導體器件試制線成功通線

國家自然科學基金“十四五”發(fā)展規(guī)劃發(fā)布含寬禁帶半導體等115項優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域

第三代寬禁帶半導體功率模塊技術(shù)及系統(tǒng)集成聯(lián)合工程中心簽約東莞

IFWS：超寬禁帶半導體材料與器件技術(shù)最新進展

美國工程院院士Fred C. LEE：寬禁帶半導體會給電力電子行業(yè)帶來怎樣的變革？

華潤微電子將積極謀劃8英寸寬禁帶半導體布局

IFWS 2022前瞻：超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件技術(shù)分會日程公布

武漢大學袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進展

新型超寬禁帶半導體材料廠商銘鎵半導體實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

武漢大學課題組在寬禁帶半導體熱表征領(lǐng)域發(fā)表綜述文章

廈門大學寬禁帶半導體研究組在半導體能谷調(diào)控方面取得重要進展

寬禁帶氧化鎵半導體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

深圳先進連接牽頭起草的T/CASAS 023—202X《寬禁帶半導體封裝用燒結(jié)銀膏技術(shù)規(guī)范》征求意見

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