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中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

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復(fù)旦大學(xué)研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團隊公布CFET新進展！

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

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深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

聞泰科技：安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要包括Mosfet、邏輯與晶體管等

三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn) 采用新 GAA晶體管架構(gòu) 提高30%性能

重磅！3.5億個晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補晶體管的陣列驗證

應(yīng)用材料推出CVD升級技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

天津大學(xué)李立強教授課題組：有機晶體管新進展—實現(xiàn)五年長壽命

南京大學(xué) | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管

800億晶體管，20塊GPU 今年GTC大會上黃仁勛繼續(xù)大秀“AI肌肉”

芯片上的突破！清華制成世界上柵極長度最小晶體管

清華大學(xué)團隊首次實現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管

清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動器

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測器研究

山東大學(xué)徐明升：基于金剛石金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的日盲探測器

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場效應(yīng)晶體管的研究

阿里平頭哥發(fā)布自研云芯片: 5nm工藝、600億晶體管

【CASICON 2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)

氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET

尺寸小于1納米，中科院物理所單分子晶體管器件新突破

CFET結(jié)構(gòu)晶體管有助于2nm以下制程的新一代半導(dǎo)體技術(shù)

臺積電：3nm進度超前，2nm將轉(zhuǎn)向GAA晶體管

意法半導(dǎo)體推出了新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品

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