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2025云南晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)張雷 :大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長(zhǎng)研究新進(jìn)展

國(guó)新辦發(fā)布會(huì)肯定成都科創(chuàng)成果，實(shí)驗(yàn)室全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過(guò)PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

鎵未來(lái)完成億元級(jí)B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

中國(guó)科學(xué)院氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究獲進(jìn)展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時(shí)代的 “魔法材料”

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開發(fā)

氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目暨芯片綜合配套項(xiàng)目簽約

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

中科半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片

氮化鎵外延層中位錯(cuò)輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬(wàn)歐元

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長(zhǎng)難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺(tái)積電計(jì)劃 2027 年退出氮化鎵：暫無(wú)重大影響

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺(tái)積電證實(shí)：未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

英諾賽科與美的威靈合作，加速氮化鎵在空調(diào)電機(jī)應(yīng)用！

英諾賽科與美的威靈達(dá)成氮化鎵戰(zhàn)略合作

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