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格恩半導體規(guī)模量產氮化鎵激光芯片

格恩半導體規(guī)模量產氮化鎵激光芯片

規(guī)模量產！格恩半導體發(fā)布十多款氮化鎵激光芯片產品

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導體單晶材料外延范式

英諾賽科宣布氮化鎵出貨量突破3億顆

英諾賽科氮化鎵出貨量突破3億顆！

三星購買愛思強MOCVD設備用于氮化鎵、碳化硅生產

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

西安電子科技大學許晟瑞：襯底工程對氮化物LED的影響研究

西安電子科技大學許晟瑞：襯底工程對氮化物LED的影響研究

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

萊特葳芯半導體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅動技術研究進展

上海微系統(tǒng)所成功實現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調控

CASICON西安站前瞻|西安交通大學陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質結構電學特性的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學教授寧靜：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

華潤微：2023年IGBT產品營收目標是10億元，碳化硅和氮化鎵產品營收力爭上億

納微聯(lián)手重力星球發(fā)布全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器

預計：到2028年全球氮化鎵射頻器件市場價值將達到27億美元

北大許福軍、沈波團隊在氮化物半導體大失配外延研究上取得突破性進展

北京大學許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質量的III族氮化物異質外延膜

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

美國國家工程院院士Umesh Mishra：高效率氮化物功率半導體和射頻電子研究進展

安世半導體副總裁 Carlos Castro：氮化鎵功率電子器件和典型應用

英飛凌牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃預算6000萬歐元發(fā)力氮化鎵功率器件

新微半導體40V增強型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產

南科大化夢媛團隊揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機理及應用

CASICON 2023長沙站：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體技術進展探討

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應用

半導體所在氮化物材料外延研究中取得新進展

郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導體的兩大挑戰(zhàn)

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