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快訊|奧趨光電成功制備出高質(zhì)量3英寸氮化鋁單晶

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

CASA發(fā)布T/CASAS 022-2022 三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范

第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元C輪融資

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務(wù)，擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實驗室

長光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實驗室”揭牌成立

世界先進(jìn)宣布0.35微米650 V氮化鎵制程進(jìn)入量產(chǎn)

長平時代發(fā)布用于車載電子的900V硅基氮化鎵外延片

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

深圳智芯微電子牽頭起草的《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會草案

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

華清電子材料實現(xiàn)了超大尺寸高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷加熱底盤的突破

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長與外延

千里新材高性能氮化硅制品產(chǎn)業(yè)化及總部基地項目開工

格芯獲得 3000 萬美元政府資金用于氮化鎵 GaN 芯片生產(chǎn)

半導(dǎo)體所等研究團(tuán)隊合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列進(jìn)展

上海出臺措施發(fā)展展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展

IFWS 2022前瞻：氮化鎵功率電子材料與器件技術(shù)新進(jìn)展

深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》征求意見

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)剖析

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

宏光半導(dǎo)體與協(xié)鑫集團(tuán)擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作

氮化物寬禁帶半導(dǎo)體企業(yè)中博芯宣布完成Pre-A輪融資

氮化鎵功率芯片廠商納微半導(dǎo)體收購SiC公司GeneSiC 加速在電動汽車等領(lǐng)域擴(kuò)張

英諾賽科：建立氮化鎵生態(tài)的時機(jī)已經(jīng)到來

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

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