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河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

河北同光半導(dǎo)體取得超高真空碳化硅原料合成爐系統(tǒng)專利

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