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高溫溶液法生長SiC單晶的研究進展

華燦光電投資成立先進半導體研究院

碳化硅（SiC）行業(yè)研究框架：“新能半導”大時代新核“芯”

華燦光電參股成立先進半導體研究院公司，注冊資本3億元

曝三星正研究用于芯片生產(chǎn)的聚焦環(huán)新材料，考慮用 B4C 替代 SiC

一周要聞回顧：半導體行業(yè)風起云涌，眾多公司動作頻頻，多項研究獲新進展

中科院蘇州納米所團隊在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠程外延機理研究獲新進展

R&S聯(lián)合FormFactor為得克薩斯大學奧斯汀分校研究5G和6G改進型射頻開關提供支持

世界紀錄效率！南京大學現(xiàn)工院譚海仁團隊在《Nature》發(fā)文報道全鈣鈦礦疊層電池重要研究進展

中國科大郭光燦院士團隊在硅基半導體自旋量子比特操控研究中取得進展

成都岷山功率半導體技術研究院成立，張波教授任專家委員會理事長

佛山廣工大研究院：推動半導體檢測設備國產(chǎn)化

A*STAR微電子研究所和SOITEC合作開發(fā)200毫米低成本碳化硅半導體器件

功率半導體產(chǎn)業(yè)研究：電動車大時代，碳化硅新世界

聞泰科技與清華大學成立工業(yè)與車規(guī)半導體芯片聯(lián)合研究中心

江蘇第三代半導體研究院：推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升

華南理工大學李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

北京大學物理學院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長研究

深圳大學物理與光電工程學院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術研究

中科院蘇州納米研究所司志偉：助熔劑法氮化鎵微碟不同極性面的光學性能

日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所沈旭強：無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中科院半導體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

河北半導體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院寧波材料技術與工程研究所陳荔：基于藍寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫熱處理研究

華東光電集成器件研究所展明浩：MEMS傳感器發(fā)展現(xiàn)狀及在自動駕駛中的應用

上海電驅(qū)動電控研究院院長陳雷：功率半導體在新能源汽車電機控制器中的應用

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應用

西安電子科技大學劉志宏：面向移動SoC應用的氮化鎵射頻器件研究進展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

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