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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)多項(xiàng)碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

臺積電-東京大學(xué)實(shí)驗(yàn)室啟用，雙方聯(lián)手推動半導(dǎo)體研究和教育

工業(yè)和信息化部專題研究部署推動人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強(qiáng)研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

研究機(jī)構(gòu)：2024年全球芯片市場規(guī)模達(dá)6830億美元，英飛凌、意法半導(dǎo)體跌出前十

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁俊：新型多級溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

西湖大學(xué)光電研究院仇旻當(dāng)選歐洲科學(xué)院院士

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠邀全球英才加盟

中車株洲電力機(jī)車研究所李東林在人民大會堂接受“全國勞動模范”表彰

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所投影式光刻機(jī)采購項(xiàng)目（第二次）公開招標(biāo)公告

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所投影式光刻機(jī)采購項(xiàng)目（第二次）公開招標(biāo)公告

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