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同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目啟動(dòng)

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總投資50億美元！又一個(gè)8英寸碳化硅晶圓工廠即將投產(chǎn)！

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購(gòu)

九奕半導(dǎo)體設(shè)備取得光刻機(jī)送料機(jī)構(gòu)專利，使硅片涂布更均勻

投資69億港元！香港首座世界先進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅八英寸晶圓廠簽約

清純半導(dǎo)體與士蘭微電子繼續(xù)深化8英寸碳化硅量產(chǎn)線技術(shù)支撐與代工合作

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐通過客戶驗(yàn)證

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

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士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年一季度試生產(chǎn)

總投資約300億元，重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目2月底通線投片！

華工科技：400G硅光模塊批量出貨 800G LPO產(chǎn)品即將上量

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

中硅高科1000噸/年半導(dǎo)體用硅烷項(xiàng)目正式投產(chǎn)！

河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

總投資27.75億元！科大硅谷高新孵化園一期主體結(jié)構(gòu)完成全面封頂

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置專利，有利于生長(zhǎng)空間的穩(wěn)定性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請(qǐng)?zhí)蓟?span id="aavzzhl" class="highlight">硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

萬國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國(guó)首座大批量300毫米硅晶圓工廠

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場(chǎng)

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟?span id="lidfx4m" class="highlight">硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

年產(chǎn)36萬片，武漢一6寸碳化硅晶圓項(xiàng)目，首批設(shè)備搬入

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)

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