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金剛石膜取得大突破！

廣東：力爭(zhēng)到2030年取得超10項(xiàng)光芯片核心技術(shù)突破

工信部：高級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)新的重大突破

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

我國在太陽能電池領(lǐng)域取得新突破

國產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過量產(chǎn)驗(yàn)證！

電子科大國家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

北京大學(xué)電子學(xué)院陳景標(biāo)研究團(tuán)隊(duì)在原子鐘領(lǐng)域取得重要突破

Nature | 康奈爾大學(xué)：光電功能器件最新突破

九峰山實(shí)驗(yàn)室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

濟(jì)南比亞迪今年生產(chǎn)新能源車力爭(zhēng)突破30萬輛

中國科大在仿生光電神經(jīng)感知器件領(lǐng)域取得新突破

立昂晶電：實(shí)現(xiàn)磷化銦半導(dǎo)體材料技術(shù)突破獲評(píng)雛鷹企業(yè)

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

突破！鴻海布局第四代半導(dǎo)體跨大步

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

國內(nèi)高校實(shí)現(xiàn)Micro LED技術(shù)突破，涉及深紫外、光通訊

我國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

西電在邏輯運(yùn)算器件領(lǐng)域取得重要突破

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

廈門市未來顯示技術(shù)研究院：突破“屏”頸競(jìng)逐未來顯示新賽道

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

三安光電突破氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化難題

歷史性突破！西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部馬曉華教授牽頭項(xiàng)目榮獲2023年度國家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

芯達(dá)半導(dǎo)體簽約，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)設(shè)備“零突破”！

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