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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|臺灣陽明交通大學(xué)郭浩中：GaN基UVC和Micro LED技術(shù)最新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學(xué)教授Satoshi Kamiyama：GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長和光子器件應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學(xué)西澤伸一：綠色社會時代下的SiC材料技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學(xué)院高壓物理研究所Piotr Perlin：氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|三重大學(xué)Hideto Miyake：面對面退火濺射沉積AlN模板上DH結(jié)構(gòu)的UVC LED

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛爾蘭丁達(dá)爾國家研究所李智：通過微轉(zhuǎn)印實現(xiàn)微型LED的高級集成

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測和損耗分析

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定：基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|加拿大多倫多大學(xué)吳偉東：一種具備自動時序功能適用于碳化硅功率MOSFET的智能動態(tài)柵極驅(qū)動器

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|荷蘭代爾夫特理工大學(xué)杜雷鳴：納米金屬顆?；ミB的燒結(jié)基礎(chǔ)

提醒|IFWS&SSLCHINA 2025征文即將截止!

開幕倒計時30天！相約IFWS&SSLCHINA 2025搶占第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點！

中國科學(xué)院院士杜江峰榮獲2025年度扎沃伊斯基獎

公開征集 | 2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

商務(wù)部公告2025第62號公布對稀土相關(guān)技術(shù)實施出口管制的決定

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