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瑞薩電子正評估出售旗下「時脈與同步芯片」業(yè)務,估值近20億美元
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2025-10-15 09:22
深圳平湖實驗室兩項成果亮相ICSCRM
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2025-10-15 09:12
全碳化硅10千伏直掛式超充站投入使用,充電速度最快達1秒1公里!
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2025-10-15 09:03
新突破│鎵仁半導體首發(fā)VB法生長最厚6英寸(010)面氧化鎵晶體
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2025-10-14 21:08
荷蘭凍結安世半導體資產 中國商務部實施出口管制
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2025-10-14 18:36
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|臺灣陽明交通大學郭浩中:GaN基UVC和Micro LED技術最新進展
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2025-10-14 16:46
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名城大學教授Satoshi Kamiyama:GaN納米線和GaInN基多量子殼晶體生長和光子器件應用
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2025-10-14 16:44
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學Anders GUSTASFSSON:用于RGB顯示器的微米級InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究
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2025-10-14 16:43
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學西澤伸一:綠色社會時代下的SiC材料技術
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2025-10-14 16:32
英諾賽科為800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案,賦能新一代AI Factories
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2025-10-14 15:38
中科院半導體所在高速光通信光頻梳研究方面取得新進展
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2025-10-14 15:23
總投資1.5億元,桂林芯之源半導體項目在高鐵(桂林)廣西園開工
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2025-10-14 15:17
總投資約百億!惠科全色系MLED顯示芯片項目開工
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2025-10-14 15:16
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學WON-JAE LEE:SiC晶體高質量、低成本體生長研究進展
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2025-10-14 11:00
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|波蘭科學院高壓物理研究所Piotr Perlin:氮化物激光二極管-挑戰(zhàn)和解決方案
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2025-10-14 10:49
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|三重大學Hideto Miyake:面對面退火濺射沉積AlN模板上DH結構的UVC LED
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2025-10-14 10:47
寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室2025年度開放課題申請指南
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2025-10-14 08:09
高通承認違反中國反壟斷法
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2025-10-13 20:33
荷蘭凍結聞泰科技巨額資產!外交部回應!
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2025-10-13 20:22
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院Elison Matioli:邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新
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2025-10-13 16:29
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|愛爾蘭丁達爾國家研究所李智:通過微轉印實現(xiàn)微型LED的高級集成
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2025-10-13 16:20
寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室2025年度開放課題申請指南
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2025-10-13 16:04
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學特聘教授Tohru Oka:基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預測和損耗分析
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2025-10-13 15:56
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學技術大學孫海定:基于Ⅲ族氮化物的微型紫外光譜成像儀
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2025-10-13 15:46
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國立物質材料研究所廖梅勇:n型溝道金剛石MOSFET的演示
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2025-10-13 15:31
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|加拿大多倫多大學吳偉東:一種具備自動時序功能適用于碳化硅功率MOSFET的智能動態(tài)柵極驅動器
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2025-10-13 15:17
納微半導體與兆易創(chuàng)新數字能源聯(lián)合實驗室揭牌,加速高效電源管理方案落地
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2025-10-13 14:41
聞泰科技:關于荷蘭政府干預聞泰科技旗下安世半導體運營的嚴正立場
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2025-10-13 14:01
IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|荷蘭代爾夫特理工大學杜雷鳴:納米金屬顆?;ミB的燒結基礎
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2025-10-13 12:01
提醒|IFWS&SSLCHINA 2025征文即將截止!
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2025-10-13 11:50
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