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極智報(bào)告|美國倫斯勒理工學(xué)院教授周達(dá)成:氮化鎵和碳化硅的穩(wěn)定性與可靠性

視頻2025-11-25 13:20
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周達(dá)成授表示,在過去十年中,基于兩個(gè)寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體(GaN和SiC)的功率開關(guān)器件正在影響功率電子系統(tǒng),這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能,且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示,通過模擬和實(shí)驗(yàn)應(yīng)力(如電流崩塌和高溫反偏),評估了現(xiàn)有......請?jiān)赪IFI條件下反復(fù)觀看!
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