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極智報告|愛思強電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER:High Growth Rate SiC Homoepitaxial Processes In A Large Capacity P

視頻2025-11-25 13:20
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德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了,就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報告。他表示,用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器,它是在于每小時二十五微米,更好地,更快速地長外延材料,那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個好事,那么同時它這個結(jié)果在之間出的效果,尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計2018年這種全面的自動化技術(shù)的使用,會使得我們整個產(chǎn)業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。
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