英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告，具體介紹了該技術的研究背景，并結合相關數(shù)據，介紹了該技術的研究成果，及未來的一些應用領域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢頭很強勁，當前，通訊、雷達等應用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎上的，隨著數(shù)據化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發(fā)GaN-on-Diamon