中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發(fā)展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經(jīng)引起人們的廣泛關(guān)注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應(yīng)用的需求。我們提高了發(fā)光均勻性和減少基藍光LD結(jié)構(gòu)面自支撐GaN襯底上生長GaN的內(nèi)部損失。同質(zhì)外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經(jīng)實現(xiàn)了綠色激光器結(jié)構(gòu)1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續(xù)波作用下，綠光LD的輸出功率為