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劉少煜:一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法

視頻WBSC 20212025-11-25 13:20
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《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者:劉少煜,程新紅,鄭理,劉曉博,俞躍輝單位:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
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