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中電科13所高楠：MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料

視頻MOCVD20222025-12-23 13:18

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46501515

稿件投訴

MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所

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