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雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場(chǎng)線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University

AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大

日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報(bào)告。

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢