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AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計升級反應(yīng)器。

挪威科學技術(shù)大學教授、挪威科學技術(shù)院院士、挪威Crayonano AS創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG

挪威科學技術(shù)大學教授，挪威科學技術(shù)院院士Helge WEMAN帶來了題為采用石墨烯襯底和透明底部電極的AlGaN納米線外延 UV LED的主題