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徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計、生長和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
張文輝：升華法生長β
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張文輝：升華法生長β
《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室
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limit2022-01-07 14:58
朱志甫：10BN中子探測
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朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
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limit2022-01-07 14:20
張輝：氧化鎵晶體的生
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張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
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limit2022-01-07 14:18
徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 11:50
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:19
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
張紀(jì)才：半極性AlN材
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張紀(jì)才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
余燁：面向長波長LED
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余燁：面向長波長LED
《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:56
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
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張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
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皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
馬騁：硅基氮化鎵外延
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馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-05 16:53
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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limit2022-01-05 16:49
黃思溢：基于水平常壓
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黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學(xué)
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limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
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余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對ICP-MOCVD生長GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
26700
limit2022-01-05 11:25
趙見國：非極性(11-20
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趙見國：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長與研究》作者：趙見國，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張
26700
limit2022-01-05 11:22