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《半導(dǎo)體碳化硅材料中位錯(cuò)的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和材料科學(xué)與工程學(xué)院