美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

  • Long Yan: Optimizati
    Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
    3600
    limit2022-01-10 12:56
  • 劉紅輝：光照下AlGaN/
    《光照下AlGaN/GaN異質結溝道中載流子的輸運過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風格，任遠，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚，張佰君單位：中山大學電子與信息工程學院
    17400
    limit2022-01-07 13:47
  • 張昊宸：具有超高光響
    《具有超高光響應（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學微電子學院
    7400
    limit2022-01-07 13:29
  • Hui Guo: NiO/AlGaN i
    NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學電子科學與工程學院
    19600
    limit2022-01-07 11:53
  • 徐尉宗：具有高可靠感
    《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
    19000
    limit2022-01-07 11:50
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質結外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點實驗室
    21800
    limit2022-01-07 11:15
  • 陳敦軍：高增益AlGaN
    《高增益AlGaN基異質結紫外光電探測器及其能帶的調控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
    8000
    limit2022-01-07 08:59
  • 詹騰：金屬氧化物/AlG
    《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質結深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊曉燕，李晉閩單位：中國科學半導體研究所、清華大學
    15100
    limit2022-01-07 08:57
  • 閆建昌：AlGaN基紫外L
    《AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
    33700
    limit2022-01-06 11:41
  • 孫海定：AlGaN基紫外
    《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學
    7000
    limit2022-01-06 10:30
  • Xu Li：High valley p
    High valley polarization in monolayer WS2 on AlGaNAuthor：Xu Li，Xinlong Zeng，Zhiming Wu，Yaping Wu，Junyong KangInstitute：Department of Physics, Xiamen University
    17900
    limit2022-01-05 17:45
  • 劉婷：Suppression of
    Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數(shù)理學院
    7800
    limit2022-01-05 16:56
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院
    35000
    limit2022-01-05 09:53
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部