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雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University

無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設(shè)計與優(yōu)化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

基于能帶工程與機(jī)器學(xué)習(xí)的Micro- LED 性能優(yōu)化Performance optimization based on band engineering and machine learning for microLEDs劉志遠(yuǎn) 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)，先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室LIU Zhiyuan Advanced semiconductor laboratory, King Abdullah University of ScienceTechnology

利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

特阿卜杜拉國王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計升級反應(yīng)器。

杭州慧億科技有限公司研發(fā)中心負(fù)責(zé)人孟楠分享《UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計與驗證》。

為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應(yīng)用于固化、水和空氣的凈化及醫(yī)療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級生長的深紫外納米線激光二極管光學(xué)約束優(yōu)化的研究成果。研

杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計與驗證

隨著LED光源技術(shù)的進(jìn)步和對光的非視覺效果的日益了解，在室內(nèi)環(huán)境中應(yīng)用晝夜節(jié)律照明正變得越來越有吸引力。同濟(jì)大學(xué)教授戴奇帶來了《節(jié)律健康照明：光譜優(yōu)化與照明設(shè)計創(chuàng)新》報告。報告中指出，人們普遍認(rèn)為光譜功率分布（SPD）、角膜照度、時間、持續(xù)時間和先前照明曝光史是影響晝夜節(jié)律系統(tǒng)的重要因素。 其中，SPD和角膜照度是可以由照明專家設(shè)計和控制的因素，而其余的通常由最終用戶決定。報告中介紹了新開發(fā)的光譜優(yōu)化和照明