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龍世兵：超寬禁帶氧化
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龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學
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limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化鎵金
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朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院
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limit2022-01-05 17:11
汪洋：半導體用SiC涂
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汪洋：半導體用SiC涂
《半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產(chǎn)化》作者：汪洋，萬強單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業(yè)大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:09
皮孝東：半導體碳化硅
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皮孝東：半導體碳化硅
《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
江曉松：寬禁帶半導體
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江曉松：寬禁帶半導體
《寬禁帶半導體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術有限公司
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limit2022-01-05 15:28
劉斌：量子點/氮化物
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劉斌：量子點/氮化物
《量子點/氮化物半導體集成結構的Micro-LED器件制備與應用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
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limit2022-01-05 11:31
黃豐：寬禁帶半導體材
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黃豐：寬禁帶半導體材
《寬禁帶半導體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學材料學院
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limit2022-01-05 11:13
黎大兵：AlN基寬禁帶
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黎大兵：AlN基寬禁帶
《AlN基寬禁帶半導體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體
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limit2022-01-05 09:19
【視頻報告 2018】基
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【視頻報告 2018】基
深圳基本半導體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
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limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中微半導體設備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設計及外延生長的挑
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limit2021-04-29 12:23
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】河
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【視頻報告 2018】河
河北半導體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術研究》主題報告。
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】大
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【視頻報告 2018】大
深圳大道半導體有限公司總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)李剛帶來了薄膜倒裝芯片及其芯片級封裝與應用的報告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關
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limit2021-04-29 12:19
【視頻報告 2018】荷
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【視頻報告 2018】荷
荷蘭代爾夫特理工大學高壓能量系統(tǒng)的性能部門教授Rob ROSS做了關于基于浴盆曲線類型和相似性的半導體批量性能的報告，帶來了其在
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limit2021-04-29 12:12
【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
陳雄斌研究員在報告中介紹了單向710Mbps傳輸VLC系統(tǒng)和對稱的100Mbps互聯(lián)網(wǎng)接入系統(tǒng)。他表示，可見光通信這項無線光通信新技術比
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【視頻報告 2018】中
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【視頻報告 2018】中
中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態(tài)以及研究成果。
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limit2021-04-29 12:04
【視頻報告 2019】中
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【視頻報告 2019】中
中國科學院半導體研究所研究員，科技部重點研發(fā)計劃專項項目負責人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進展及國家重點研發(fā)計劃深紫外項目》
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limit2021-04-29 11:02
【視頻報告 2019】沙
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【視頻報告 2019】沙
沙特國王科技大學教授李曉航分享了《半導體深紫外激光LED和設計軟件》研究報告。
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limit2021-04-29 11:00
視頻 2019--國家半導
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視頻 2019--國家半導
2019年是國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立十五周年重要年份，聯(lián)盟吳玲理事長寄語致謝并收到國家發(fā)展和改革委員會應對氣候變
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【視頻報告 2019】河
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【視頻報告 2019】河
河北工業(yè)大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種
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limit2021-04-29 10:46