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英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術報告。敖金平博士1989年畢

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業(yè)領袖、行業(yè)機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報告|英飛凌科技香港有限公司市場總監(jiān)馬國偉：CoolSiCTMSiC MOSFET技術、器件和應用 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

極智報告|中電科55所：SiC電力電子器件產(chǎn)品國產(chǎn)化進展

極智報告|株洲中車時代電動汽車股份有限公司副總經(jīng)理劉國友：新能源汽車用功率器件解決方案報告。更多專業(yè)學術報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費看！

美國智能照明工程技術研究中心主任, 美國倫斯勒理工學院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固體照明、顯示器和物聯(lián)網(wǎng)集成主題報告。 他在報告中，Joseph Schumpeter的20世紀中期的創(chuàng)造性破壞的經(jīng)濟概念正在今天的照明工業(yè)中得到實時發(fā)揮。隨著光電子（LED和激光二極管）和物聯(lián)網(wǎng)結合起來改造照明和顯示行業(yè)，不斷創(chuàng)新和不斷創(chuàng)新的潮流正在繼續(xù)在這兩個市場上開辟新的服務和能力。 報告中，他系統(tǒng)地回顧了高效LED芯片和封裝的

今天極智課堂邀請到中國電子科技集團第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說起——碳化硅功率器件之新能源汽車應用及展望》主題報告

本期嘉賓蘇州能訊高能半導體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

科銳中國市場推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術發(fā)展”報告。 科銳作為全球大功率的整個國際上的領先者，其技術和產(chǎn)品研發(fā)一直都是業(yè)界關注的焦點。會上，林鐵總監(jiān)表示，大功率LED和COB器件在高端照明市場具備競爭優(yōu)勢。隨著國家相關政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，大功率LED器件技術也在不斷變革、細化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來更高流明輸出和光效。 科銳在LED器件領域又有重大突破，推出革新性的NX技術平臺。該平臺將為新一代照明級LED的創(chuàng)新發(fā)展，

極智高端訪談：凱耀電器總經(jīng)理沈雁偉暢談公司及產(chǎn)業(yè)新動態(tài)

浙大三色儀器有限公司總經(jīng)理王建平在2018光亞展期間，接受極智頭條現(xiàn)場訪問，王建平總經(jīng)理現(xiàn)場與極智網(wǎng)友分享公司核心競爭力！

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現(xiàn)了光激射的VCSE

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統(tǒng)上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來，在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態(tài)微波毫米波器件的研發(fā)工作。作為項目負責人，主持開發(fā)了基于0.1um G

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，