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  • 劉建平：大功率氮化鎵
    《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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    limit2022-01-05 15:57
  • 孫錢(qián)：硅襯底GaN基激
    《硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢(qián)，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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    limit2022-01-05 15:36
  • 趙德剛：GaN材料碳雜
    《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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    limit2022-01-05 15:33
  • 【極智課堂】李夢(mèng)凱：
    本期嘉賓中國(guó)科學(xué)院生態(tài)環(huán)境研究中心副研究員李夢(mèng)凱博士為大家分享《紫外反應(yīng)器設(shè)計(jì)要點(diǎn)簡(jiǎn)述 紫外線(xiàn)消毒手冊(cè)（9章）》
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    limit2022-01-05 13:11
  • 劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
    《量子點(diǎn)/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
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    limit2022-01-05 11:31
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
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    limit2022-01-05 09:53
  • 視頻報(bào)告 2017---功率
    美國(guó)國(guó)家工程院院士、美國(guó)加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅的發(fā)展動(dòng)態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對(duì)于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場(chǎng)潛力非常大，對(duì)于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對(duì)于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來(lái)說(shuō)，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
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    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過(guò)薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。
    66800
    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報(bào)告 2018】俄
    俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報(bào)告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時(shí)，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對(duì)-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點(diǎn)。通常，-LED的
    19000
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來(lái)了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大
    127000
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。
    190000
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測(cè)試》研究報(bào)告。他介紹說(shuō)，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測(cè)目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測(cè)的理想工具。我們基于顯微高光譜開(kāi)發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測(cè)試技術(shù)。
    147900
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾?lài)于雙向開(kāi)關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開(kāi)關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來(lái)新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
    78900
    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】Kaz
    特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長(zhǎng)優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)》研究報(bào)告。報(bào)告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長(zhǎng)?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長(zhǎng)速率和組分與實(shí)驗(yàn)中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計(jì)升級(jí)反應(yīng)器。
    23600
    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
    86600
    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿(mǎn)足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
    126900
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。
    84500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】德
    顯示技術(shù)的發(fā)展多種路線(xiàn)，倒裝芯片廣東德豪潤(rùn)達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部研發(fā)部部長(zhǎng)劉宇軒倒裝芯片應(yīng)用于新世代液晶顯示器
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    limit2021-04-29 12:19
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