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徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 11:50
葉建東：氧化鎵基雙極
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葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 11:41
劉興華：基于牛眼結構
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劉興華：基于牛眼結構
《基于牛眼結構微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 10:24
陳敦軍：高增益AlGaN
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陳敦軍：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基異質結紫外光電探測器及其能帶的調控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-07 08:59
詹騰：金屬氧化物/AlG
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詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質結深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊曉燕，李晉閩單位：中國科學半導體研究所、清華大學
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limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
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汪丹浩：基于寬禁帶鋁
《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學微電子學院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學計算機與通信工程學院，北京大學物理學院
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limit2022-01-07 08:51
楚春雙：基于III族氮
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楚春雙：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光電轉換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點實驗室，河北工業(yè)大學電子信息工程學院
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limit2022-01-07 08:50
周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-06 11:46
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
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limit2022-01-06 11:41
楊敏：低硅三甲基鋁產
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楊敏：低硅三甲基鋁產
《低硅三甲基鋁產品的開發(fā)》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
梅洋：GaN基VCSEL技術
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梅洋：GaN基VCSEL技術
《GaN基VCSEL技術進展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學微電子與集成電路系微納光電子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
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孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學
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limit2022-01-06 10:30
王蓉：半導體碳化硅材
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王蓉：半導體碳化硅材
《半導體碳化硅材料中位錯的基本性質研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，浙江大學硅材料國家重點實驗室和材料科學與工程學院
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limit2022-01-06 10:21
劉清：基于SiC厚膜的
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劉清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學電子科學與工程學院，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室
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limit2022-01-06 10:17
黎明鍇：基于二氧化錫
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黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:27
程其進：氧化鎵基日盲
2520
程其進：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術學院，廈門大學化學與化學學院
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limit2022-01-05 17:20
朱昱豪：基于氮化鎵金
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朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院
30500
limit2022-01-05 17:11
袁昊：萬伏級4H-SiC基
2240
袁昊：萬伏級4H-SiC基
《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學，中國人民解放軍空軍工程大學
22400
limit2022-01-05 17:00
馬騁：硅基氮化鎵外延
2560
馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
25600
limit2022-01-05 16:53