美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

  • 南京大學(xué)教授陸海：第
    第三代半導(dǎo)體紫外探測技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陸 海--南京大學(xué)教授，鎵敏光電董事長LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
    78500
    limit2022-02-01 17:38
  • 美國普渡大學(xué)Lee A. R
    UVC對(duì)SARS-CoV-2等高傳染性病毒控制的原理與方法The Principle and Method of UVC for the Control of SARS-CoV-2 and Other Highly Infectious VirusesErnest R. Blatchley III--美國普渡大學(xué)Lee A. Rieth講席教授，國際紫外協(xié)會(huì)副主席、美洲分會(huì)主席Ernest R. Blatchley III--Lee A. Rieth Professor, Purdue University, Americas Regional Vice President of IUVA
    45900
    limit2022-02-01 15:57
  • 東京大學(xué)副教授小熊久
    用于水消毒的UV-LED：研究與應(yīng)用前沿UV-LEDs for Water Disinfection: The Forefront of Research and Application小熊久美子--東京大學(xué)副教授、國際紫外協(xié)會(huì)副主席、亞洲分會(huì)主席Kumiko OgumaAssociate Professor of University of Tokyo, Asian Regional Vice President of IUVA
    46300
    limit2022-02-01 14:38
  • 廈門大學(xué)張榮教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長、教授
    99700
    limit2022-01-31 13:44
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
    35000
    limit2022-01-05 09:53
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。
    66800
    limit2021-04-29 12:30
  • 【視頻報(bào)告 2018】北
    北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報(bào)告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達(dá)到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運(yùn)和重組過程。綜合量子漂移-擴(kuò)散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機(jī)理。
    86500
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報(bào)告。報(bào)告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)填充至微/納米孔中，形成量子點(diǎn)與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點(diǎn)偶極子間耦合增強(qiáng)物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大
    127000
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    香港科技大學(xué)首席劉紀(jì)美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優(yōu)點(diǎn)和問題》報(bào)告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應(yīng)用中的成熟的LED技術(shù)很常見。近年來，LED在微顯示器上的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。與其他現(xiàn)有的微顯示技術(shù)相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩(wěn)定性和魯棒性等方面具有優(yōu)勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。
    243000
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。
    190000
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    來自臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威教授，他在《可實(shí)現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報(bào)告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍(lán)光到535nm綠光的變化，接著在藍(lán)光NRLED上噴涂紅色量子點(diǎn)材料進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實(shí)現(xiàn)RGB全彩微顯示。
    90600
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門大學(xué)電子科學(xué)系教授、福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術(shù)的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報(bào)告。他介紹說，顯微高光譜成像技術(shù)結(jié)合高光譜和顯微技術(shù)，獲得探測目標(biāo)的二維幾何空間及一維光譜信息的數(shù)據(jù)立方。同時(shí)具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優(yōu)點(diǎn)。是進(jìn)行微小發(fā)光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發(fā)了發(fā)光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術(shù)。
    147900
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能霯ED系統(tǒng)。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報(bào)道。
    92900
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】復(fù)
    復(fù)旦大學(xué)副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜》主題報(bào)告中表示，全無機(jī)CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(diǎn)(QDs)由于其優(yōu)異的光學(xué)性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點(diǎn)顯示技術(shù)。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具
    65300
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報(bào)告 2018】江
    　江蘇大學(xué)左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理的量子化學(xué)計(jì)算》研究報(bào)告。他介紹到，課題組利用量子化學(xué)的密度泛函
    200
    limit2021-04-29 12:24
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
    135800
    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
    133900
    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】廈
    廈門大學(xué)副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子點(diǎn)降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子點(diǎn)（平均直徑3nm），通過研究
    000
    limit2021-04-29 12:19
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字
    200
    limit2021-04-29 12:18
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部