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基于HfZrO2與b-Ga2O3異質(zhì)結(jié)的高性能自驅(qū)動(dòng)日盲紫外光探測(cè)器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明鍇湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University

Ga2O3/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黃凱廈門(mén)大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

NiO/Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管中深能級(jí)陷阱和載流子輸運(yùn)機(jī)制Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes汪正鵬南京大學(xué)Zhengpeng WangNanjing University

氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學(xué)教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學(xué)

基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強(qiáng)型自驅(qū)動(dòng)紫外探測(cè)器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)

NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級(jí)缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書(shū)林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)

《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過(guò)程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院

《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝?，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)

《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧?kù)o，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學(xué)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長(zhǎng)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報(bào)告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點(diǎn)，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進(jìn)度緩慢。一個(gè)主要問(wèn)題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來(lái)減輕基層的損害，但工作后沒(méi)有顯著的進(jìn)步。最常見(jiàn)的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長(zhǎng)基底層和發(fā)射極層。通過(guò)使用選擇

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報(bào)告。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢(shì)壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長(zhǎng)的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢(shì)壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出