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SiC功率MOSFET技術及應用進展柏松中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質(zhì)結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態(tài)電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優(yōu)化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低