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  • 中國科學(xué)院北京納米能
    寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
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    guansheng2022-09-10 15:42
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報告；廈門大學(xué)校長張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進展；大會主席、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技
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    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中國科學(xué)院蘇州納米技
    常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結(jié)合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
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    guansheng2022-09-09 15:53
  • 山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授：
    半導(dǎo)體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
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    guansheng2022-09-09 15:50
  • 北京大學(xué)沈波教授：氮
    以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細分
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    guansheng2022-09-09 15:47
  • 圓桌對話：碳化硅、氮
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
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    guansheng2022-09-08 15:57
  • 圓桌對話：MOCVD外延
    主題對話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干
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    guansheng2022-09-08 15:55
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)譚鵬
    零回滯氧化鎵光電晶體管 從光電導(dǎo)效應(yīng)到光柵效應(yīng)譚鵬舉，鄒燕妮，趙曉龍*，侯小虎，張中方，丁夢璠，于舜杰，馬曉蘭，徐光偉，胡芹*，龍世兵中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    79400
    guansheng2022-09-02 16:03
  • 南京大學(xué)葉建東：氧化
    氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    74800
    guansheng2022-09-02 16:02
  • 陜西科技大學(xué)馬淑芳：
    基于單根Ga2O3納米線的深紫外光電探測性能馬淑芳*，劉松，韓斌，尉國棟，董浩琰，牛艷萍，郝曉東，許并社陜西科技大學(xué)
    67400
    guansheng2022-09-02 16:01
  • 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世
    氧化鎵半導(dǎo)體器件龍世兵*，徐光偉，趙曉龍，侯小虎中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
    87200
    guansheng2022-09-02 15:59
  • 湖北大學(xué)陳興馳：基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強型自驅(qū)動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
    77200
    guansheng2022-09-01 16:22
  • 吉林大學(xué)焦騰：n型Ga2
    n型Ga2O3薄膜的MOCVD同質(zhì)外延焦騰，陳威，李政達，刁肇悌，黨新明，陳沛然，董鑫*吉林大學(xué)
    67900
    guansheng2022-09-01 16:21
  • 南京大學(xué)汪正鵬：NiO/
    NiO/-Ga2O3p+-n異質(zhì)結(jié)二極管深能級缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    64500
    guansheng2022-09-01 16:20
  • 大連理工大學(xué)張赫之：
    兩步法在藍寶石襯底上生長高質(zhì)量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學(xué)中國電子科技集團公司第四十六研究所
    78000
    guansheng2022-09-01 16:19
  • 山東大學(xué)賈志泰：大尺
    大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學(xué)
    91600
    guansheng2022-09-01 16:18
  • 湖北大學(xué)何云斌：Ga2O
    Ga2O3三元合金設(shè)計及其日盲紫外光電探測器研究王其樂，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學(xué)
    97900
    guansheng2022-09-01 16:16
  • 中山大學(xué)王鋼：基于金
    基于金屬有機化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)
    56700
    guansheng2022-09-01 16:13
  • 中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
    一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11
  • 南京大學(xué)鞏賀賀：氧化
    氧化鎵肖特基二極管熱管理研究鞏賀賀，周峰，葉建東*，陸海，顧書林，張榮，鄭有炓南京大學(xué)
    76000
    guansheng2022-09-01 16:10
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