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劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
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劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:24
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
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楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測(cè)器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國(guó)家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
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limit2022-01-07 10:23
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:19
汪萊：寬禁帶半導(dǎo)體異
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汪萊：寬禁帶半導(dǎo)體異
《寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)嫁接及其器件應(yīng)用》作者：劉洋，汪萊，郝智彪，羅毅單位：清華大學(xué)電子工程系
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limit2022-01-07 10:12
陳敦軍：高增益AlGaN
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陳敦軍：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:59
詹騰：金屬氧化物/AlG
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詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝?，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
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limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
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汪丹浩：基于寬禁帶鋁
《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學(xué)計(jì)算機(jī)與通信工程學(xué)院，北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit2022-01-07 08:51
楚春雙：基于III族氮
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楚春雙：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光電轉(zhuǎn)換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:50
周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:46
蔡端俊：氫元素對(duì)深紫
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蔡端俊：氫元素對(duì)深紫
《氫元素對(duì)深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩(shī)強(qiáng)，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:45
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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limit2022-01-06 11:41
張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
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張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國(guó)，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
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李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬(wàn)里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:09
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長(zhǎng)機(jī)理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學(xué)，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
劉強(qiáng)：Carbon doping
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劉強(qiáng)：Carbon doping
Carbon doping with CH4 in HVPEAuthor: Qiang Liu, Shuai Wang, Run Chen, Junjie Ren, Luo Li, Meimei Liu, Hongchun Ma, Genquan LvInstitute: Sino-Nitride Semiconductor Co. Ltd, Peking University
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limit2022-01-06 11:05
張紀(jì)才：半極性AlN材
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張紀(jì)才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長(zhǎng)研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
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楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
《低硅三甲基鋁產(chǎn)品的開發(fā)》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
屈媛：半導(dǎo)體核殼納米
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屈媛：半導(dǎo)體核殼納米
《半導(dǎo)體核殼納米線中光學(xué)聲子的截面形狀調(diào)制》作者：薛忠賢，屈媛，班士良單位：內(nèi)蒙古大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-06 10:57