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雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University

AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template三宅秀人日本三重大學(xué)教授Hideto MIYAKEProfessor of Graduate School of Engineering, Mie University

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所

Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University

《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院

《具有超高光響應(yīng)（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光電三極管》作者：張昊宸，孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院

NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝?，李晉閩單位：中國科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)

《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國科學(xué)院大學(xué)

《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測器研究進(jìn)展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

High valley polarization in monolayer WS2 on AlGaNAuthor：Xu Li，Xinlong Zeng，Zhiming Wu，Yaping Wu，Junyong KangInstitute：Department of Physics, Xiamen University

Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院