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歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
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歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學
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limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
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方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院，復旦大學光電研究院，工程與應用技術(shù)研究院
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limit2022-01-05 17:41
黃洪：單晶氧化鎵深紫
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黃洪：單晶氧化鎵深紫
《單晶氧化鎵深紫外探測器》作者：趙曉龍，穆文祥，賈志泰，徐光偉，胡芹，黃洪，陶緒堂，龍世兵單位：中國科學技術(shù)大學，山東大學
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limit2022-01-05 17:38
黎明鍇：基于二氧化錫
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黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:27
吳征遠：極高響應度與
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吳征遠：極高響應度與
《極高響應度與增益帶寬積的p型氧化鎵日盲探測器》作者：吳征遠，蔣卓汛，馬聰聰，張浩，葉建東，張國旗，康俊勇，張統(tǒng)一，方志來單位：復旦大學信息科學與工程學院、工程與應用技術(shù)研究院、南京大學電子科學與工程學院、廈門大學物理科學與技術(shù)學院上海大學材料基因組工程研究院
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limit2022-01-05 17:22
程其進：氧化鎵基日盲
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程其進：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測器的制備及特性研究》作者：程其進，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門大學電子科學與技術(shù)學院，廈門大學化學與化學學院
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limit2022-01-05 17:20
王浩敏：厚層六角氮化
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王浩敏：厚層六角氮化
《厚層六角氮化硼制備、微觀測量與應用》作者：王浩敏，吳天如，賀立，盧光遠，時志遠單位：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
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limit2022-01-05 17:18
劉增：Strategies of
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劉增：Strategies of
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學理學院，南京郵電大學電子與光學工程學院、微電子學院
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limit2022-01-05 17:14
龍世兵：超寬禁帶氧化
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龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術(shù)大學
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limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化鎵金
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朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院
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limit2022-01-05 17:11
汪洋：半導體用SiC涂
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汪洋：半導體用SiC涂
《半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產(chǎn)化》作者：汪洋，萬強單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業(yè)大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:09
皮孝東：半導體碳化硅
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皮孝東：半導體碳化硅
《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
袁昊：萬伏級4H-SiC基
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袁昊：萬伏級4H-SiC基
《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學，中國人民解放軍空軍工程大學
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limit2022-01-05 17:00
陸海：面向復雜電氣應
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陸海：面向復雜電氣應
《面向復雜電氣應用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-05 16:58
劉婷：Suppression of
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劉婷：Suppression of
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數(shù)理學院
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limit2022-01-05 16:56
化夢媛：常關型 GaN P
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化夢媛：常關型 GaN P
《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學
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limit2022-01-05 16:54
馬騁：硅基氮化鎵外延
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馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-05 16:53
朱廣潤：微波毫米波器
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朱廣潤：微波毫米波器
《GaN微波毫米波器件新進展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
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limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學技術(shù)大學納米技術(shù)與納米仿生學院
28300
limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應用
2550
馬曉華：面向終端應用
《面向終端應用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學
25500
limit2022-01-05 16:45