碳化硅（SiC）成為驅(qū)動技術升級與效率革命的關鍵支撐。作為第三代寬禁帶半導體核心材料，憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率優(yōu)、電子飽和漂移速度快等突出性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長產(chǎn)業(yè)，其應用場景從功率器件延伸至散熱材料、光學基底等領域，需求呈爆發(fā)式增長，行業(yè)即將進入高速發(fā)展期。

在新能源領域，SiC是實現(xiàn)高效節(jié)能的核心器件，我們預計2030年，全球“新能源車+充電樁+光儲”對碳化硅襯底（6寸當量，若非特殊說明，下同）的需求量約577萬片，CAGR~36.7%。新能源汽車領域，800V高壓平臺逐步普及，2025年滲透率已達11.17%，SiC MOSFET應用于主驅(qū)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等核心部件，可使整車能耗降低8%-10%。我們測算得，2030年全球新能源車領域SiC襯底需求達432萬片，中國328萬片。高壓直流充電樁方面，政策推動下2027年將建成10萬臺大功率充電樁，SiC憑借耐高壓特性成為達標關鍵，2030年全球SiC襯底需求51萬片，中國29萬片。光儲領域，SiC將提升光伏逆變器與儲能變流器效率，2030年全球碳化硅襯底需求94萬片，中國30萬片。

AI產(chǎn)業(yè)中，SiC迎來“功率+散熱”雙重增長機遇。數(shù)據(jù)中心方面，算力提升推動機柜功率密度飆升，SiC應用于UPS、HVDC、SST等電源設備，2030年全球電源領域襯底需求73萬片，中國20萬片。同時，SiC作為先進封裝散熱材料，解決GPU高發(fā)熱難題，2030年全球AI芯片中介層所需襯底需求約620萬片，中國173萬片；若在現(xiàn)有技術路徑下，CoWoS工藝中，基板和熱沉材料也采用SiC，則AI芯片散熱領域襯底空間將增加2倍。

通信射頻領域，5G-A與6G推動射頻器件升級，GaN-on-SiC方案憑借優(yōu)異散熱與高頻性能成為主流。2030年全球射頻用半絕緣型SiC襯底需求量達17萬片，中國占比60%，約10萬片。

2030年全球AR眼鏡領域襯底需求389萬片，中國137萬片。AR產(chǎn)業(yè)中，SiC高折射率特性使其成為光波導片理想基底，可擴大視場角、解決彩虹紋問題，推動AR眼鏡輕量化與全彩化。

需求端的全面爆發(fā)推動行業(yè)規(guī)?？焖贁U張，預計2027年碳化硅襯底供需緊平衡，甚至存在出現(xiàn)產(chǎn)能供應緊張的可能性；2030年，全球1676萬片的襯底需求量，較2025年的供給，存在約1200萬片的產(chǎn)能缺口。其中，AI中介層、新能源汽車、AR眼鏡是三大核心增長點，我們預計到2030年需求占比分別為37%、26%、23%；其中SiC在AI芯片先進封裝散熱材料的運用上，若能實現(xiàn)在“基板層”、“中介層”和“熱沉”三個環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)化，2030E，全球碳化硅襯底需求量有望達到約3000萬片。

風險提示：

1、中美貿(mào)易摩擦加劇，供應鏈進一步受限的風險；2、下游需求不及預期；3、產(chǎn)品研發(fā)、技術迭代與市場推進不及預期，如SiC作為先進封裝的散熱材料，中介層、基板和熱沉三方面均處于研發(fā)階段，技術路線尚未完全確定，風險較高；4、行業(yè)競爭加劇。